Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes

Foto: Número da peça do fabricante Disponibilidade Preço Quantidade Ficha técnica Packaging Series ProductStatus FETType FETFeature DraintoSourceVoltage(Vdss) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C RdsOn(Max)@IdVgs Vgs(th)(Max)@Id GateCharge(Qg)(Max)@Vgs InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds Power-Max OperatingTemperature MountingType
FBG20N04AC

FBG20N04AC

GAN FET HEMT200V 4A COTS 4FSMD-A

EPC Space, LLC
2,428 -

RFQ

FBG20N04AC

Ficha técnica

Tray eGaN® Active - Logic Level Gate 200V 4A (Tc) 130mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 1mA 3nC @ 5V 150pF @ 100V - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount
1500+
1500+ Média diária de RFQ
20,000.000
20,000.000 Unidade padrão do produto
1800+
1800+ Fabricantes em todo o mundo
15,000+
15,000+ Armazém em estoque
Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

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