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Transistores - Bipolar (BJT) - Único
| Foto: | Número da peça do fabricante | Disponibilidade | Preço | Quantidade | Ficha técnica | Packaging | Series | ProductStatus | TransistorType | Current-Collector(Ic)(Max) | Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | VceSaturation(Max)@IbIc | Current-CollectorCutoff(Max) | DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | Power-Max | Frequency-Transition | OperatingTemperature | MountingType |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFU530215SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc. |
2,115 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
2SD2383-T2B-ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Renesas Electronics America Inc |
3,445 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
SZT1009T1SS SOT223 HV XSTR SPCL TR onsemi |
2,880 | - |
RFQ |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
|
2N2102TRANS NPN 65V 1A TO39 Solid State Inc. |
680 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Box | - | Active | NPN | 1 A | 65 V | 500mV @ 15mA, 150mA | 2nA (ICBO) | 40 @ 150mA, 10V | 1 mW | 60MHz | -65°C ~ 200°C (TJ) | Through Hole |
|
2N1893TRANS NPN 80V 0.5A TO5 Solid State Inc. |
460 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Box | - | Active | NPN | 500 mA | 80 V | 5V @ 15A, 150A | 10nA (ICBO) | - | 800 mW | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | Through Hole |
|
2SB1123S-TD-EXPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Sanyo |
2,063 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
MCH3431-TL-E-SYPNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Sanyo |
3,676 | - |
RFQ |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
|
|
2SC4363-ACSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN onsemi |
2,191 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
2SC4485T-ANBIP NPN 1A 50V onsemi |
3,928 | - |
RFQ |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
|
FJP3305TUTRANS NPN 400V 4A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
3,066 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Tube | - | Obsolete | NPN | 4 A | 400 V | 1V @ 1A, 4A | 1µA (ICBO) | 19 @ 1A, 5V | 75 W | 4MHz | 150°C (TJ) | Through Hole |
|
2SD400E-MPBIP NPN 1A 25V onsemi |
3,545 | - |
RFQ |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
|
2SB1274R-SAPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Sanyo |
2,527 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
2SC3597DNPN SILICON TRANSISTOR onsemi |
3,999 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
TIP31BTRANS NPN 80V 3A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
2,415 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Tube | - | Obsolete | NPN | 3 A | 80 V | 1.2V @ 375mA, 3A | 300µA | 10 @ 3A, 4V | 2 W | 3MHz | 150°C (TJ) | Through Hole |
|
TN6729ATRANS PNP 80V 1A TO226-3 Fairchild Semiconductor |
2,077 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | - | Obsolete | PNP | 1 A | 80 V | 500mV @ 10mA, 250mA | 100nA (ICBO) | 50 @ 250mA, 1V | 1 W | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole |
|
|
BFU550235NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST NXP USA Inc. |
3,141 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
2SC3382SSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN onsemi |
3,475 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
2SC2910SNPN SILICON TRANSISTOR onsemi |
3,951 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
2SC4519-5-TB-EBIP NPN 0.5A 45V onsemi |
3,330 | - |
RFQ |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
|
|
2SA1566JIETL-ESMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Renesas Electronics America Inc |
2,796 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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