Transistores - Bipolar (BJT) - Único

Foto: Número da peça do fabricante Disponibilidade Preço Quantidade Ficha técnica Packaging Series ProductStatus TransistorType Current-Collector(Ic)(Max) Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) VceSaturation(Max)@IbIc Current-CollectorCutoff(Max) DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce Power-Max Frequency-Transition OperatingTemperature MountingType
BUT12A

BUT12A

TRANS NPN 450V 8A TO220-3

Fairchild Semiconductor
820 -

RFQ

BUT12A

Ficha técnica

Bulk - Obsolete NPN 8 A 450 V 1.5V @ 1.2A, 6A 1mA - 100 W - 150°C (TJ) Through Hole
TIP141

TIP141

TRANS NPN 80V 10A TO218

onsemi
819 -

RFQ

TIP141

Ficha técnica

Tube - Obsolete NPN 10 A 80 V - - 1000 @ 5A, 4V 125 W - -65°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
CA3127ER2489

CA3127ER2489

HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR AR

Harris Corporation
500 -

RFQ

Bulk * Active - - - - - - - - - -
2SD1230

2SD1230

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

onsemi
323 -

RFQ

2SD1230

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
2SD2203R

2SD2203R

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

onsemi
2,601 -

RFQ

2SD2203R

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
2SB1508R

2SB1508R

PNP SILICON TRANSISTOR

Sanyo
3,307 -

RFQ

2SB1508R

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
2N6129

2N6129

NPN POWER TRANSISTOR

Harris Corporation
593 -

RFQ

2N6129

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
MJE16002

MJE16002

TRANS NPN 6V 5A TO220AB

Harris Corporation
2,733 -

RFQ

MJE16002

Ficha técnica

Bulk - Active NPN 5 A 6 V 1V @ 200mA, 1.5A 250µA 5 @ 5A, 5V 80 W - -65°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
2SC4256

2SC4256

NPN SILICON TRANSISTOR

onsemi
3,745 -

RFQ

2SC4256

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
TIP30A

TIP30A

TRANS PNP 60V 1A TO220

NTE Electronics, Inc
705 -

RFQ

TIP30A

Ficha técnica

Bag - Active PNP 1 A 60 V 700mV @ 125mA, 1A 300µA 15 @ 1A, 4V 2 W - 150°C (TJ) Through Hole
TIP110

TIP110

TRANS NPN DARL 60V TO220-3

NTE Electronics, Inc
609 -

RFQ

TIP110

Ficha técnica

Bag - Active NPN - Darlington - 60 V 2.5V @ 8mA, 2A 2mA 1000 @ 1A, 4V - 25MHz -65°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
NTE171

NTE171

TRANS NPN 300V 0.1A TO202

NTE Electronics, Inc
2,177 -

RFQ

NTE171

Ficha técnica

Bag - Active NPN 100 mA 300 V - 10µA (ICBO) 30 @ 20mA, 10V 1.67 W 50MHz -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
H5N2521FN-E#T2

H5N2521FN-E#T2

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc
2,524 -

RFQ

H5N2521FN-E#T2

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
2SA1008(4)-S6-AZ

2SA1008(4)-S6-AZ

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

Renesas Electronics America Inc
3,386 -

RFQ

Bulk * Active - - - - - - - - - -
H5N2521FN-E-AR

H5N2521FN-E-AR

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc
3,357 -

RFQ

Bulk * Active - - - - - - - - - -
2SB860-E

2SB860-E

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

Renesas Electronics America Inc
997 -

RFQ

2SB860-E

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
2SC3458L

2SC3458L

NPN SILICON TRANSISTOR

onsemi
2,627 -

RFQ

2SC3458L

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
NTE287

NTE287

TRANS NPN 300V 0.5A TO92

NTE Electronics, Inc
243 -

RFQ

NTE287

Ficha técnica

Bag - Active NPN 500 mA 300 V 500mV @ 2mA, 20mA 100nA (ICBO) 40 @ 10mA, 10V 625 mW 50MHz -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
D44E2

D44E2

TRANS NPN DARL 60V 10A TO220

Harris Corporation
3,064 -

RFQ

D44E2

Ficha técnica

Bulk - Active NPN - Darlington 10 A 60 V 2V @ 20mA, 10A 10µA 1000 @ 5A, 5V 1.67 W - -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole
LM3086J

LM3086J

TRANSISTOR

National Semiconductor
924 -

RFQ

LM3086J

Ficha técnica

Bulk * Active - - - - - - - - - -
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1500+
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20,000.000 Unidade padrão do produto
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