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Transistores - Bipolar (BJT) - Único
| Foto: | Número da peça do fabricante | Disponibilidade | Preço | Quantidade | Ficha técnica | Packaging | Series | ProductStatus | TransistorType | Current-Collector(Ic)(Max) | Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | VceSaturation(Max)@IbIc | Current-CollectorCutoff(Max) | DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | Power-Max | Frequency-Transition | OperatingTemperature | MountingType |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC817-25/DG/B4215SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc. |
3,648 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
BC817-25/DG215SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc. |
2,620 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
BD899TRANS NPN 80V 8A TO220C Harris Corporation |
2,156 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | - | Active | NPN | 8 A | 80 V | - | - | - | 70 W | 1MHz | - | Through Hole |
|
BC817K-25WE6327BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Infineon Technologies |
2,919 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
2SC3951EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN onsemi |
2,128 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
JANTX2N3019STRANS NPN 80V 1A TO39 onsemi |
3,882 | - |
RFQ |
Bulk | Military, MIL-PRF-19500/391 | Active | NPN | 1 A | 80 V | 500mV @ 50mA, 500mA | 10nA | 50 @ 500mA, 10V | 800 mW | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | Through Hole | |
|
|
BC817K-40WE6327BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Infineon Technologies |
3,027 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
BC817K-40E6327BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Infineon Technologies |
3,489 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
BC817-40E6433BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Infineon Technologies |
2,363 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | Automotive, AEC-Q101 | Active | NPN | 500 mA | 45 V | 700mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 250 @ 100mA, 1V | 500 mW | 170MHz | 150°C (TJ) | Surface Mount |
|
|
BC808-40WTRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3 Infineon Technologies |
3,350 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | - | Active | PNP | 500 mA | 25 V | 700mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 250 @ 100mA, 1V | 250 mW | 200MHz | 150°C (TJ) | Surface Mount |
|
BDP948E6433GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Infineon Technologies |
3,658 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
2SA1348-ACSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR onsemi |
2,241 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
2SA1207TSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR onsemi |
2,230 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
2SA1317TSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR onsemi |
2,429 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
BC817K-16TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 Infineon Technologies |
3,452 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | - | Active | NPN | 500 mA | 45 V | 700mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 100 @ 100mA, 1V | 500 mW | 170MHz | 150°C (TJ) | Surface Mount |
|
2SC4107MPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN onsemi |
3,976 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
BC817K-16WH6327BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Infineon Technologies |
3,522 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
BC817K40WE6327BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Infineon Technologies |
3,685 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
BD751ANPN POWER TRANSISTOR Harris Corporation |
3,856 | - |
RFQ |
Ficha técnica |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
BC81716215SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc. |
2,225 | - |
RFQ |
Bulk | * | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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