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NXP USA Inc. BUK7E2R3-40E,127-NXP
- Número da peça
- BUK7E2R3-40E,127-NXP
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Categoria:
- Transistores - FETs, MOSFETs - Único
- Pacote
- Through Hole
- Ficha técnica
BUK7E2R3-40E,127-NXP.pdf
- Descrição
- PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM
- Revisão de qualidade:
-
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Para que aplicações é adequado BUK7E2R3-40E,127-NXP?
BUK7E2R3-40E,127-NXP é um produto da NXP USA Inc. na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Equipamentos de comunicação e rede
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Sistemas automóveis e de controlo
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Automação industrial
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Centros de dados e plataformas cloud
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar BUK7E2R3-40E,127-NXP, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para BUK7E2R3-40E,127-NXPVisão geral do produto
BUK7E2R3-40E,127-NXP é um produto da NXP USA Inc. na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
Principais características
- Part number: BUK7E2R3-40E,127-NXP
- Fabricante: NXP USA Inc.
- Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
- Encapsulamento: Through Hole
- Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
- Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume
Áreas de aplicação
BUK7E2R3-40E,127-NXP pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Compra e suporte técnico
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para BUK7E2R3-40E,127-NXP, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
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Product details
- Packaging:Tube
- Series:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):40 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:120A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:2.3mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:109.2 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:8500 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):293W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:
- Categoria:
- Ficha técnicaBUK7E2R3-40E,127-NXP.pdf
BUK7E2R3-40E,127-NXP - Perguntas frequentes
BUK7E2R3-40E,127-NXP é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 3247. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para BUK7E2R3-40E,127-NXP é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. BUK7E2R3-40E,127-NXP da NXP USA Inc. será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para BUK7E2R3-40E,127-NXP. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem |  |
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| Número da peça | BUK6209-30C,118 | BUK6213-30A,118 | BUK7E13-60E,127 | BUK7230-55A,118 | BUK724R5-30C118 |
| Fabricante | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 2.3mOhm @ 25A, 10V | 2.3mOhm @ 25A, 10V | 2.3mOhm @ 25A, 10V | 2.3mOhm @ 25A, 10V | 2.3mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 109.2 nC @ 10 V | 109.2 nC @ 10 V | 109.2 nC @ 10 V | 109.2 nC @ 10 V | 109.2 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 8500 pF @ 25 V | 8500 pF @ 25 V | 8500 pF @ 25 V | 8500 pF @ 25 V | 8500 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 293W (Tc) | 293W (Tc) | 293W (Tc) | 293W (Tc) | 293W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
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SIHP18N50C-E3
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STP24N60M6
STMicroelectronics
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