NXP USA Inc. BUK9E3R2-40E,127

Número da peça
BUK9E3R2-40E,127
Fabricante
NXP USA Inc.
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
I2PAK
Ficha técnica
FudongICBUK9E3R2-40E,127.pdf
Descrição
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

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BUK9E3R2-40E,127 é um produto da NXP USA Inc. na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar BUK9E3R2-40E,127, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

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Visão geral do produto

BUK9E3R2-40E,127 é um produto da NXP USA Inc. na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: BUK9E3R2-40E,127
  • Fabricante: NXP USA Inc.
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: I2PAK
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

BUK9E3R2-40E,127 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para BUK9E3R2-40E,127, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

BUK9E3R2-40E,127 - Perguntas frequentes

BUK9E3R2-40E,127 está atualmente em stock?

BUK9E3R2-40E,127 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 3731. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para BUK9E3R2-40E,127?

A quantidade mínima de encomenda para BUK9E3R2-40E,127 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

BUK9E3R2-40E,127 é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. BUK9E3R2-40E,127 da NXP USA Inc. será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para BUK9E3R2-40E,127?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para BUK9E3R2-40E,127?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para BUK9E3R2-40E,127. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem BUK7535-55A,127 BUK7528-55A,127 BUK7507-30B,127 BUK7516-55A,127 BUK9514-55A,127
Número da peça BUK7535-55A,127 BUK7528-55A,127 BUK7507-30B,127 BUK7516-55A,127 BUK9514-55A,127
Fabricante NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Packaging Tube,Tube Tube,Tube Tube,Tube Tube,Tube Tube,Tube
Series TrenchMOS™ TrenchMOS™ TrenchMOS™ TrenchMOS™ TrenchMOS™
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.8mOhm @ 25A, 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 69.5 nC @ 5 V 69.5 nC @ 5 V 69.5 nC @ 5 V 69.5 nC @ 5 V 69.5 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±10V ±10V ±10V ±10V ±10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9150 pF @ 25 V 9150 pF @ 25 V 9150 pF @ 25 V 9150 pF @ 25 V 9150 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 234W (Tc) 234W (Tc) 234W (Tc) 234W (Tc) 234W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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