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IXYS FII50-12E

Name: FII50-12E
Brand: IXYS
SKU: FII50-12E
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: FII50-12E

Fabricante: IXYS

Categoria:: Transistores - IGBTs - Matrizes

Pacote: i4-Pac™-5

Ficha técnica: FII50-12E.pdf

Descrição: IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de FII50-12E foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado FII50-12E?

FII50-12E é um produto da IXYS na categoria Transistores - IGBTs - Matrizes. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar FII50-12E, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para FII50-12E

Visão geral do produto

FII50-12E é um produto da IXYS na categoria Transistores - IGBTs - Matrizes. A descrição é: IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: FII50-12E
Fabricante: IXYS
Categoria: Transistores - IGBTs - Matrizes
Encapsulamento: i4-Pac™-5
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

FII50-12E pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para FII50-12E, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

Packaging:
Tube
Series:
-
ProductStatus:
Obsolete
IGBTType:
NPT
Configuration:
Half Bridge
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):
1200 V
Current-Collector(Ic)(Max):
50 A
Power-Max:
200 W
Vce(on)(Max)@VgeIc:
2.6V @ 15V, 30A
Current-CollectorCutoff(Max):
400 µA
InputCapacitance(Cies)@Vce:
2 nF @ 25 V
Input:
Standard
NTCThermistor:
No
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistores - IGBTs - Matrizes
Ficha técnica
FII50-12E.pdf

FII50-12E - Perguntas frequentes

FII50-12E está atualmente em stock?▼

FII50-12E é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2910. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para FII50-12E?▼

A quantidade mínima de encomenda para FII50-12E é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

FII50-12E é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. FII50-12E da IXYS será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para FII50-12E?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para FII50-12E?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para FII50-12E. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	MMIX4G20N250	IXA20PG1200DHG-TRR	IXA20PG1200DHG-TUB	IXA30PG1200DHG-TRR	IXA40PG1200DHG-TUB
Fabricante	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete
IGBTType	NPT	NPT	NPT	NPT	NPT
Configuration	Half Bridge	Half Bridge	Half Bridge	Half Bridge	Half Bridge
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
Current-Collector(Ic)(Max)	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A
Power-Max	200 W	200 W	200 W	200 W	200 W
Vce(on)(Max)@VgeIc	2.6V @ 15V, 30A	2.6V @ 15V, 30A	2.6V @ 15V, 30A	2.6V @ 15V, 30A	2.6V @ 15V, 30A
Current-CollectorCutoff(Max)	400 µA	400 µA	400 µA	400 µA	400 µA
InputCapacitance(Cies)@Vce	2 nF @ 25 V	2 nF @ 25 V	2 nF @ 25 V	2 nF @ 25 V	2 nF @ 25 V
Input	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard
NTCThermistor	No	No	No	No	No
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole