onsemi FQU7N10LTU

Número da peça
FQU7N10LTU
Fabricante
onsemi
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
I-PAK
Ficha técnica
FudongICFQU7N10LTU.pdf
Descrição
MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de FQU7N10LTU foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado FQU7N10LTU?

FQU7N10LTU é um produto da onsemi na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar FQU7N10LTU, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para FQU7N10LTU

Visão geral do produto

FQU7N10LTU é um produto da onsemi na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: FQU7N10LTU
  • Fabricante: onsemi
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: I-PAK
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

FQU7N10LTU pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para FQU7N10LTU, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

FQU7N10LTU - Perguntas frequentes

FQU7N10LTU está atualmente em stock?

FQU7N10LTU é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 3773. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para FQU7N10LTU?

A quantidade mínima de encomenda para FQU7N10LTU é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

FQU7N10LTU é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. FQU7N10LTU da onsemi será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para FQU7N10LTU?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para FQU7N10LTU?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para FQU7N10LTU. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem FQI7N80TU FQD4N20TM FQP3N30 FQPF19N10 FQD3P50TM
Número da peça FQI7N80TU FQD4N20TM FQP3N30 FQPF19N10 FQD3P50TM
Fabricante onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series QFET® QFET® QFET® QFET® QFET®
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.8A (Tc) 5.8A (Tc) 5.8A (Tc) 5.8A (Tc) 5.8A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 350mOhm @ 2.9A, 10V 350mOhm @ 2.9A, 10V 350mOhm @ 2.9A, 10V 350mOhm @ 2.9A, 10V 350mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FQU7N10LTU Informações relevantes

As seguintes partes estão incluídas "FQU7N10LTU" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. FQU7N10LTU.

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