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onsemi HUF76609D3ST

Name: HUF76609D3ST
Brand: onsemi
SKU: HUF76609D3ST
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: HUF76609D3ST

Fabricante: onsemi

Categoria:: Transistores - FETs, MOSFETs - Único

Pacote: TO-252AA

Ficha técnica: HUF76609D3ST.pdf

Descrição: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de HUF76609D3ST foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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🔍Para que aplicações é adequado HUF76609D3ST?

HUF76609D3ST é um produto da onsemi na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar HUF76609D3ST, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para HUF76609D3ST

Visão geral do produto

HUF76609D3ST é um produto da onsemi na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: HUF76609D3ST
Fabricante: onsemi
Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Encapsulamento: TO-252AA
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

HUF76609D3ST pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para HUF76609D3ST, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

Produtos relacionados

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
UltraFET™
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
16 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±16V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
425 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
49W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Ficha técnica
HUF76609D3ST.pdf

HUF76609D3ST - Perguntas frequentes

HUF76609D3ST está atualmente em stock?▼

HUF76609D3ST é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 1815. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para HUF76609D3ST?▼

A quantidade mínima de encomenda para HUF76609D3ST é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

HUF76609D3ST é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. HUF76609D3ST da onsemi será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para HUF76609D3ST?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para HUF76609D3ST?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para HUF76609D3ST. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	HUF76639P3	HUFA75344P3	HUFA75344G3	HUF75639S3ST	HRFZ44N
Fabricante	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	UltraFET™	UltraFET™	UltraFET™	UltraFET™	UltraFET™
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	10A (Tc)	10A (Tc)	10A (Tc)	10A (Tc)	10A (Tc)
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RdsOn(Max)@IdVgs	160mOhm @ 10A, 10V	160mOhm @ 10A, 10V	160mOhm @ 10A, 10V	160mOhm @ 10A, 10V	160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	16 nC @ 10 V	16 nC @ 10 V	16 nC @ 10 V	16 nC @ 10 V	16 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±16V	±16V	±16V	±16V	±16V
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FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	49W (Tc)	49W (Tc)	49W (Tc)	49W (Tc)	49W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount