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Infineon Technologies IPI100N06S3L04XK
- Número da peça
- IPI100N06S3L04XK
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Categoria:
- Transistores - FETs, MOSFETs - Único
- Pacote
- PG-TO262-3
- Ficha técnica
-
IPI100N06S3L04XK.pdf
- Descrição
- MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
- Revisão de qualidade:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC
A informação de produto de IPI100N06S3L04XK foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.
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Para que aplicações é adequado IPI100N06S3L04XK?
IPI100N06S3L04XK é um produto da Infineon Technologies na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Equipamentos de comunicação e rede
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Sistemas automóveis e de controlo
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Automação industrial
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Centros de dados e plataformas cloud
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar IPI100N06S3L04XK, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para IPI100N06S3L04XKVisão geral do produto
IPI100N06S3L04XK é um produto da Infineon Technologies na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
Principais características
- Part number: IPI100N06S3L04XK
- Fabricante: Infineon Technologies
- Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
- Encapsulamento: PG-TO262-3
- Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
- Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume
Áreas de aplicação
IPI100N06S3L04XK pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Compra e suporte técnico
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para IPI100N06S3L04XK, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
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Product details
- Packaging:Tube
- Series:OptiMOS™
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):55 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:100A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:3.8mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.2V @ 150µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:362 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±16V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:17270 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):214W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Categoria:
- Ficha técnica
IPI100N06S3L04XK - Perguntas frequentes
IPI100N06S3L04XK é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2112. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para IPI100N06S3L04XK é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. IPI100N06S3L04XK da Infineon Technologies será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para IPI100N06S3L04XK. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem |  |
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| Número da peça | IPP065N04NG | BSF083N03LQG | IPP230N06L3G | BSB053N03LPG | SPP80N06S209 |
| Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 55 V | 55 V | 55 V | 55 V | 55 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 3.8mOhm @ 80A, 10V | 3.8mOhm @ 80A, 10V | 3.8mOhm @ 80A, 10V | 3.8mOhm @ 80A, 10V | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 150µA | 2.2V @ 150µA | 2.2V @ 150µA | 2.2V @ 150µA | 2.2V @ 150µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 362 nC @ 10 V | 362 nC @ 10 V | 362 nC @ 10 V | 362 nC @ 10 V | 362 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 17270 pF @ 25 V | 17270 pF @ 25 V | 17270 pF @ 25 V | 17270 pF @ 25 V | 17270 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 214W (Tc) | 214W (Tc) | 214W (Tc) | 214W (Tc) | 214W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
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- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
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IPI100N06S3L04XK Informações relevantes
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