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Harris Corporation IRFD210

Name: IRFD210
Brand: Harris Corporation
SKU: IRFD210
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: IRFD210

Fabricante: Harris Corporation

Categoria:: Transistores - FETs, MOSFETs - Único

Pacote: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Ficha técnica: IRFD210.pdf

Descrição: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de IRFD210 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado IRFD210?

IRFD210 é um produto da Harris Corporation na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar IRFD210, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para IRFD210

Visão geral do produto

IRFD210 é um produto da Harris Corporation na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: IRFD210
Fabricante: Harris Corporation
Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Encapsulamento: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

IRFD210 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para IRFD210, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

Produtos relacionados

Product details

Packaging:
Bulk
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
600mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
1.5Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
8.2 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
140 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
1W (Ta)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Ficha técnica
IRFD210.pdf

IRFD210 - Perguntas frequentes

IRFD210 está atualmente em stock?▼

IRFD210 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 1014. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para IRFD210?▼

A quantidade mínima de encomenda para IRFD210 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

IRFD210 é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. IRFD210 da Harris Corporation será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para IRFD210?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para IRFD210?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para IRFD210. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	RFP2P08	RFP2N08	RFP2N10	RFD4N06L	RFP8P06LE
Fabricante	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	600mA (Ta)	600mA (Ta)	600mA (Ta)	600mA (Ta)	600mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	1.5Ohm @ 360mA, 10V	1.5Ohm @ 360mA, 10V	1.5Ohm @ 360mA, 10V	1.5Ohm @ 360mA, 10V	1.5Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	8.2 nC @ 10 V	8.2 nC @ 10 V	8.2 nC @ 10 V	8.2 nC @ 10 V	8.2 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	140 pF @ 25 V	140 pF @ 25 V	140 pF @ 25 V	140 pF @ 25 V	140 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	1W (Ta)	1W (Ta)	1W (Ta)	1W (Ta)	1W (Ta)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole