IXYS IXFH7N80

Número da peça
IXFH7N80
Fabricante
IXYS
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
TO-247AD (IXFH)
Ficha técnica
FudongICIXFH7N80.pdf
Descrição
MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de IXFH7N80 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

Quantidade

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado IXFH7N80?

IXFH7N80 é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar IXFH7N80, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para IXFH7N80

Visão geral do produto

IXFH7N80 é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: IXFH7N80
  • Fabricante: IXYS
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: TO-247AD (IXFH)
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

IXFH7N80 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para IXFH7N80, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

IXFH7N80 - Perguntas frequentes

IXFH7N80 está atualmente em stock?

IXFH7N80 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2955. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para IXFH7N80?

A quantidade mínima de encomenda para IXFH7N80 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

IXFH7N80 é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. IXFH7N80 da IXYS será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para IXFH7N80?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para IXFH7N80?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para IXFH7N80. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem VMO550-01F IXFX180N07 IXFR34N80 IXFK44N60 IXFR12N100
Número da peça VMO550-01F IXFX180N07 IXFR34N80 IXFK44N60 IXFR12N100
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 800 V 800 V 800 V 800 V 800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 2.5mA 4.5V @ 2.5mA 4.5V @ 2.5mA 4.5V @ 2.5mA 4.5V @ 2.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2800 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 180W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXFH7N80 Informações relevantes

As seguintes partes estão incluídas "IXFH7N80" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. IXFH7N80.

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