IXYS IXTN170P10P

Número da peça
IXTN170P10P
Fabricante
IXYS
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
SOT-227B
Ficha técnica
FudongICIXTN170P10P.pdf
Descrição
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de IXTN170P10P foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado IXTN170P10P?

IXTN170P10P é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar IXTN170P10P, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para IXTN170P10P

Visão geral do produto

IXTN170P10P é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: IXTN170P10P
  • Fabricante: IXYS
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: SOT-227B
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

IXTN170P10P pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para IXTN170P10P, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

IXTN170P10P - Perguntas frequentes

IXTN170P10P está atualmente em stock?

IXTN170P10P é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 223. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para IXTN170P10P?

A quantidade mínima de encomenda para IXTN170P10P é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

IXTN170P10P é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. IXTN170P10P da IXYS será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para IXTN170P10P?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para IXTN170P10P?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para IXTN170P10P. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem IXTP12N50P IXTK82N25P IXTP1N100P IXTP08N100P IXTH30N50P
Número da peça IXTP12N50P IXTK82N25P IXTP1N100P IXTP08N100P IXTH30N50P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series Polar Polar Polar Polar Polar
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 170A (Tc) 170A (Tc) 170A (Tc) 170A (Tc) 170A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 12mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 12600 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 890W (Tc) 890W (Tc) 890W (Tc) 890W (Tc) 890W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

IXTN170P10P Informações relevantes

As seguintes partes estão incluídas "IXTN170P10P" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. IXTN170P10P.

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