IXYS IXTP3N60P

Número da peça
IXTP3N60P
Fabricante
IXYS
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
TO-220-3
Ficha técnica
FudongICIXTP3N60P.pdf
Descrição
MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de IXTP3N60P foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado IXTP3N60P?

IXTP3N60P é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar IXTP3N60P, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para IXTP3N60P

Visão geral do produto

IXTP3N60P é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: IXTP3N60P
  • Fabricante: IXYS
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: TO-220-3
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

IXTP3N60P pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para IXTP3N60P, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

IXTP3N60P - Perguntas frequentes

IXTP3N60P está atualmente em stock?

IXTP3N60P é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 3609. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para IXTP3N60P?

A quantidade mínima de encomenda para IXTP3N60P é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

IXTP3N60P é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. IXTP3N60P da IXYS será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para IXTP3N60P?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para IXTP3N60P?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para IXTP3N60P. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem IXTY1R6N50P IXTY2R4N50P IXTP2R4N50P IXTY3N50P IXTP3N50P
Número da peça IXTY1R6N50P IXTY2R4N50P IXTP2R4N50P IXTY3N50P IXTP3N50P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series PolarHV™ PolarHV™ PolarHV™ PolarHV™ PolarHV™
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V 2.9Ohm @ 500mA, 10V 2.9Ohm @ 500mA, 10V 2.9Ohm @ 500mA, 10V 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5.5V @ 50µA 5.5V @ 50µA 5.5V @ 50µA 5.5V @ 50µA 5.5V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 9.8 nC @ 10 V 9.8 nC @ 10 V 9.8 nC @ 10 V 9.8 nC @ 10 V 9.8 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V ±30V ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 411 pF @ 25 V 411 pF @ 25 V 411 pF @ 25 V 411 pF @ 25 V 411 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTP3N60P Informações relevantes

As seguintes partes estão incluídas "IXTP3N60P" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. IXTP3N60P.

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