IXYS IXTP6N50P

Número da peça
IXTP6N50P
Fabricante
IXYS
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
TO-220-3
Ficha técnica
FudongICIXTP6N50P.pdf
Descrição
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de IXTP6N50P foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

Quantidade

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado IXTP6N50P?

IXTP6N50P é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar IXTP6N50P, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para IXTP6N50P

Visão geral do produto

IXTP6N50P é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: IXTP6N50P
  • Fabricante: IXYS
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: TO-220-3
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

IXTP6N50P pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para IXTP6N50P, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

IXTP6N50P - Perguntas frequentes

IXTP6N50P está atualmente em stock?

IXTP6N50P é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2772. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para IXTP6N50P?

A quantidade mínima de encomenda para IXTP6N50P é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

IXTP6N50P é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. IXTP6N50P da IXYS será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para IXTP6N50P?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para IXTP6N50P?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para IXTP6N50P. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem IXTY1R6N50P IXTY2R4N50P IXTP2R4N50P IXTY3N50P IXTP3N50P
Número da peça IXTY1R6N50P IXTY2R4N50P IXTP2R4N50P IXTY3N50P IXTP3N50P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series PolarHV™ PolarHV™ PolarHV™ PolarHV™ PolarHV™
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A (Tc) 6A (Tc) 6A (Tc) 6A (Tc) 6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 50µA 5V @ 50µA 5V @ 50µA 5V @ 50µA 5V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 14.6 nC @ 10 V 14.6 nC @ 10 V 14.6 nC @ 10 V 14.6 nC @ 10 V 14.6 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V ±30V ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740 pF @ 25 V 740 pF @ 25 V 740 pF @ 25 V 740 pF @ 25 V 740 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 100W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTP6N50P Informações relevantes

As seguintes partes estão incluídas "IXTP6N50P" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. IXTP6N50P.

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