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NXP USA Inc. PDTD113ES,126

Name: PDTD113ES,126
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PDTD113ES,126
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: PDTD113ES,126

Fabricante: NXP USA Inc.

Categoria:: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado

Pacote: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Ficha técnica: PDTD113ES,126.pdf

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de PDTD113ES,126 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado PDTD113ES,126?

PDTD113ES,126 é um produto da NXP USA Inc. na categoria Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar PDTD113ES,126, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

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Visão geral do produto

PDTD113ES,126 é um produto da NXP USA Inc. na categoria Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado. A descrição é: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: PDTD113ES,126
Fabricante: NXP USA Inc.
Categoria: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado
Encapsulamento: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

PDTD113ES,126 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para PDTD113ES,126, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

Produtos relacionados

Product details

Packaging:
Tape & Box (TB)
Series:
-
ProductStatus:
Obsolete
TransistorType:
NPN - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max):
500 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):
50 V
Resistor-Base(R1):
1 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2):
1 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce:
33 @ 50mA, 5V
VceSaturation(Max)@IbIc:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current-CollectorCutoff(Max):
500nA
Frequency-Transition:
-
Power-Max:
500 mW
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado
Ficha técnica
PDTD113ES,126.pdf

PDTD113ES,126 - Perguntas frequentes

PDTD113ES,126 está atualmente em stock?▼

PDTD113ES,126 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2233. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para PDTD113ES,126?▼

A quantidade mínima de encomenda para PDTD113ES,126 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

PDTD113ES,126 é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. PDTD113ES,126 da NXP USA Inc. será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para PDTD113ES,126?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para PDTD113ES,126?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para PDTD113ES,126. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	PDTA113EU,115	PDTC124EMB,315	PDTA144EMB,315	PDTA115EMB,315	PDTA123JMB,315
Fabricante	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
Packaging	Tape & Box (TB)	Tape & Box (TB)	Tape & Box (TB)	Tape & Box (TB)	Tape & Box (TB)
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete
TransistorType	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max)	500 mA	500 mA	500 mA	500 mA	500 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
Resistor-Base(R1)	1 kOhms	1 kOhms	1 kOhms	1 kOhms	1 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2)	1 kOhms	1 kOhms	1 kOhms	1 kOhms	1 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce	33 @ 50mA, 5V	33 @ 50mA, 5V	33 @ 50mA, 5V	33 @ 50mA, 5V	33 @ 50mA, 5V
VceSaturation(Max)@IbIc	300mV @ 2.5mA, 50mA	300mV @ 2.5mA, 50mA	300mV @ 2.5mA, 50mA	300mV @ 2.5mA, 50mA	300mV @ 2.5mA, 50mA
Current-CollectorCutoff(Max)	500nA	500nA	500nA	500nA	500nA
Frequency-Transition	-	-	-	-	-
Power-Max	500 mW	500 mW	500 mW	500 mW	500 mW
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole