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NXP USA Inc. PMN20EN,115
- Número da peça
- PMN20EN,115
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Categoria:
- Transistores - FETs, MOSFETs - Único
- Pacote
- SC-74
- Ficha técnica
PMN20EN,115.pdf
- Descrição
- MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP
- Revisão de qualidade:
-
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Para que aplicações é adequado PMN20EN,115?
PMN20EN,115 é um produto da NXP USA Inc. na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Equipamentos de comunicação e rede
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Sistemas automóveis e de controlo
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Automação industrial
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Centros de dados e plataformas cloud
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar PMN20EN,115, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para PMN20EN,115Visão geral do produto
PMN20EN,115 é um produto da NXP USA Inc. na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
Principais características
- Part number: PMN20EN,115
- Fabricante: NXP USA Inc.
- Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
- Encapsulamento: SC-74
- Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
- Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume
Áreas de aplicação
PMN20EN,115 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Compra e suporte técnico
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para PMN20EN,115, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
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Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
- Series:-
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:6.7A (Tj)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):4.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:20mOhm @ 6.7A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:18.6 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:630 pF @ 15 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):545mW (Ta)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Ficha técnicaPMN20EN,115.pdf
PMN20EN,115 - Perguntas frequentes
PMN20EN,115 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 20000. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para PMN20EN,115 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. PMN20EN,115 da NXP USA Inc. será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para PMN20EN,115. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem |  |
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| Número da peça | PMN15UN115 | PH6530AL115 | PSMN050-80BS,118 | PSMN8R5-100ESQ | PSMN7R8-120ESQ |
| Fabricante | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 6.7A (Tj) | 6.7A (Tj) | 6.7A (Tj) | 6.7A (Tj) | 6.7A (Tj) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 20mOhm @ 6.7A, 10V | 20mOhm @ 6.7A, 10V | 20mOhm @ 6.7A, 10V | 20mOhm @ 6.7A, 10V | 20mOhm @ 6.7A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 18.6 nC @ 10 V | 18.6 nC @ 10 V | 18.6 nC @ 10 V | 18.6 nC @ 10 V | 18.6 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 630 pF @ 15 V | 630 pF @ 15 V | 630 pF @ 15 V | 630 pF @ 15 V | 630 pF @ 15 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 545mW (Ta) | 545mW (Ta) | 545mW (Ta) | 545mW (Ta) | 545mW (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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