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Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV(TL3,T)

Name: RN1106MFV(TL3,T)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFV(TL3,T)
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: RN1106MFV(TL3,T)

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Categoria:: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado

Pacote: SOT-723

Ficha técnica: RN1106MFV(TL3,T).pdf

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de RN1106MFV(TL3,T) foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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🔍Para que aplicações é adequado RN1106MFV(TL3,T)?

RN1106MFV(TL3,T) é um produto da Toshiba Semiconductor and Storage na categoria Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar RN1106MFV(TL3,T), incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para RN1106MFV(TL3,T)

Visão geral do produto

RN1106MFV(TL3,T) é um produto da Toshiba Semiconductor and Storage na categoria Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado. A descrição é: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: RN1106MFV(TL3,T)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado
Encapsulamento: SOT-723
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

RN1106MFV(TL3,T) pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para RN1106MFV(TL3,T), envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

Produtos relacionados

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Obsolete
TransistorType:
NPN - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max):
100 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):
50 V
Resistor-Base(R1):
4.7 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2):
47 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce:
80 @ 10mA, 5V
VceSaturation(Max)@IbIc:
300mV @ 500µA, 5mA
Current-CollectorCutoff(Max):
500nA
Frequency-Transition:
-
Power-Max:
150 mW
MountingType:
Surface Mount
Categoria:
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-polarizado
Ficha técnica
RN1106MFV(TL3,T).pdf

RN1106MFV(TL3,T) - Perguntas frequentes

RN1106MFV(TL3,T) está atualmente em stock?▼

RN1106MFV(TL3,T) é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2764. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para RN1106MFV(TL3,T)?▼

A quantidade mínima de encomenda para RN1106MFV(TL3,T) é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

RN1106MFV(TL3,T) é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. RN1106MFV(TL3,T) da Toshiba Semiconductor and Storage será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para RN1106MFV(TL3,T)?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para RN1106MFV(TL3,T)?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para RN1106MFV(TL3,T). Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	RN1105MFV,L3F(CT	RN2425(TE85L,F)	RN1108MFV,L3F	RN2116MFV,L3F	RN2316,LF
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete
TransistorType	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max)	100 mA	100 mA	100 mA	100 mA	100 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
Resistor-Base(R1)	4.7 kOhms	4.7 kOhms	4.7 kOhms	4.7 kOhms	4.7 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2)	47 kOhms	47 kOhms	47 kOhms	47 kOhms	47 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce	80 @ 10mA, 5V	80 @ 10mA, 5V	80 @ 10mA, 5V	80 @ 10mA, 5V	80 @ 10mA, 5V
VceSaturation(Max)@IbIc	300mV @ 500µA, 5mA	300mV @ 500µA, 5mA	300mV @ 500µA, 5mA	300mV @ 500µA, 5mA	300mV @ 500µA, 5mA
Current-CollectorCutoff(Max)	500nA	500nA	500nA	500nA	500nA
Frequency-Transition	-	-	-	-	-
Power-Max	150 mW	150 mW	150 mW	150 mW	150 mW
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount