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Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE,LF(CT
- Número da peça
- RN4988FE,LF(CT
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Pacote
- SOT-563, SOT-666
- Ficha técnica
-
RN4988FE,LF(CT.pdf
- Descrição
- NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
- Revisão de qualidade:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC
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Para que aplicações é adequado RN4988FE,LF(CT?
RN4988FE,LF(CT é um produto da Toshiba Semiconductor and Storage na categoria Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Pré-polarizado. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Equipamentos de comunicação e rede
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Sistemas automóveis e de controlo
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Automação industrial
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Centros de dados e plataformas cloud
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar RN4988FE,LF(CT, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para RN4988FE,LF(CTVisão geral do produto
RN4988FE,LF(CT é um produto da Toshiba Semiconductor and Storage na categoria Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Pré-polarizado. A descrição é: NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
Principais características
- Part number: RN4988FE,LF(CT
- Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Pré-polarizado
- Encapsulamento: SOT-563, SOT-666
- Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
- Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume
Áreas de aplicação
RN4988FE,LF(CT pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Compra e suporte técnico
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para RN4988FE,LF(CT, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
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Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:-
- ProductStatus:Active
- TransistorType:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Current-Collector(Ic)(Max):100mA
- Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):50V
- Resistor-Base(R1):22kOhms
- Resistor-EmitterBase(R2):47kOhms
- DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce:80 @ 10mA, 5V
- VceSaturation(Max)@IbIc:300mV @ 250µA, 5mA
- Current-CollectorCutoff(Max):500nA
- Frequency-Transition:250MHz, 200MHz
- Power-Max:100mW
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Ficha técnica
RN4988FE,LF(CT - Perguntas frequentes
RN4988FE,LF(CT é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 3105. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para RN4988FE,LF(CT é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. RN4988FE,LF(CT da Toshiba Semiconductor and Storage será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para RN4988FE,LF(CT. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem |  |
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| Número da peça | RN1708JE(TE85L,F) | RN1710JE(TE85L,F) | RN1709JE(TE85L,F) | RN1707JE(TE85L,F) | RN2713JE(TE85L,F) |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| TransistorType | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 100mA | 100mA | 100mA | 100mA | 100mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50V | 50V | 50V | 50V | 50V |
| Resistor-Base(R1) | 22kOhms | 22kOhms | 22kOhms | 22kOhms | 22kOhms |
| Resistor-EmitterBase(R2) | 47kOhms | 47kOhms | 47kOhms | 47kOhms | 47kOhms |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| Frequency-Transition | 250MHz, 200MHz | 250MHz, 200MHz | 250MHz, 200MHz | 250MHz, 200MHz | 250MHz, 200MHz |
| Power-Max | 100mW | 100mW | 100mW | 100mW | 100mW |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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