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STMicroelectronics SCTW70N120G2V

Name: SCTW70N120G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTW70N120G2V
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: SCTW70N120G2V

Fabricante: STMicroelectronics

Categoria:: Transistores - FETs, MOSFETs - Único

Pacote: HiP247™

Ficha técnica: SCTW70N120G2V.pdf

Descrição: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de SCTW70N120G2V foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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🔍Para que aplicações é adequado SCTW70N120G2V?

SCTW70N120G2V é um produto da STMicroelectronics na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar SCTW70N120G2V, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para SCTW70N120G2V

Visão geral do produto

SCTW70N120G2V é um produto da STMicroelectronics na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: SCTW70N120G2V
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Encapsulamento: HiP247™
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

SCTW70N120G2V pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para SCTW70N120G2V, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

Produtos relacionados

Product details

Packaging:
Tube
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
91A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
18V
RdsOn(Max)@IdVgs:
30mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id:
4.9V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
150 nC @ 18 V
Vgs(Max):
+22V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
3540 pF @ 800 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
547W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 200°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Ficha técnica
SCTW70N120G2V.pdf

SCTW70N120G2V - Perguntas frequentes

SCTW70N120G2V está atualmente em stock?▼

SCTW70N120G2V é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 152. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para SCTW70N120G2V?▼

A quantidade mínima de encomenda para SCTW70N120G2V é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

SCTW70N120G2V é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. SCTW70N120G2V da STMicroelectronics será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para SCTW70N120G2V?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para SCTW70N120G2V?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para SCTW70N120G2V. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	STL9N65M2	STFU6N65	STDLED656	STL11N65M2	STL8N65M2
Fabricante	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	91A (Tc)	91A (Tc)	91A (Tc)	91A (Tc)	91A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	18V	18V	18V	18V	18V
RdsOn(Max)@IdVgs	30mOhm @ 50A, 18V	30mOhm @ 50A, 18V	30mOhm @ 50A, 18V	30mOhm @ 50A, 18V	30mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id	4.9V @ 1mA	4.9V @ 1mA	4.9V @ 1mA	4.9V @ 1mA	4.9V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	150 nC @ 18 V	150 nC @ 18 V	150 nC @ 18 V	150 nC @ 18 V	150 nC @ 18 V
Vgs(Max)	+22V, -10V	+22V, -10V	+22V, -10V	+22V, -10V	+22V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	3540 pF @ 800 V	3540 pF @ 800 V	3540 pF @ 800 V	3540 pF @ 800 V	3540 pF @ 800 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	547W (Tc)	547W (Tc)	547W (Tc)	547W (Tc)	547W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 200°C (TJ)	-55°C ~ 200°C (TJ)	-55°C ~ 200°C (TJ)	-55°C ~ 200°C (TJ)	-55°C ~ 200°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole