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Vishay Siliconix SI2369DS-T1-GE3
- Número da peça
- SI2369DS-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Categoria:
- Transistores - FETs, MOSFETs - Único
- Pacote
- SOT-23-3 (TO-236)
- Ficha técnica
-
SI2369DS-T1-GE3.pdf
- Descrição
- MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
- Revisão de qualidade:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC
A informação de produto de SI2369DS-T1-GE3 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.
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Para que aplicações é adequado SI2369DS-T1-GE3?
SI2369DS-T1-GE3 é um produto da Vishay Siliconix na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Equipamentos de comunicação e rede
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Sistemas automóveis e de controlo
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Automação industrial
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Centros de dados e plataformas cloud
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar SI2369DS-T1-GE3, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para SI2369DS-T1-GE3Visão geral do produto
SI2369DS-T1-GE3 é um produto da Vishay Siliconix na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
Principais características
- Part number: SI2369DS-T1-GE3
- Fabricante: Vishay Siliconix
- Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
- Encapsulamento: SOT-23-3 (TO-236)
- Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
- Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume
Áreas de aplicação
SI2369DS-T1-GE3 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Compra e suporte técnico
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para SI2369DS-T1-GE3, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
Produtos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchFET®
- ProductStatus:Active
- FETType:P-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:7.6A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):4.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:29mOhm @ 5.4A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:36 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1295 pF @ 15 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Ficha técnica
SI2369DS-T1-GE3 - Perguntas frequentes
SI2369DS-T1-GE3 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2160. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para SI2369DS-T1-GE3 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. SI2369DS-T1-GE3 da Vishay Siliconix será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para SI2369DS-T1-GE3. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem |  |
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| Número da peça | SI8447DB-T2-E1 | SI8465DB-T2-E1 | SI8824EDB-T2-E1 | SI2303CDS-T1-BE3 | SI1032X-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 7.6A (Tc) | 7.6A (Tc) | 7.6A (Tc) | 7.6A (Tc) | 7.6A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 29mOhm @ 5.4A, 10V | 29mOhm @ 5.4A, 10V | 29mOhm @ 5.4A, 10V | 29mOhm @ 5.4A, 10V | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 36 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1295 pF @ 15 V | 1295 pF @ 15 V | 1295 pF @ 15 V | 1295 pF @ 15 V | 1295 pF @ 15 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
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- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
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- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
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- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
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SI2369DS-T1-GE3 Informações relevantes
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