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Vishay Siliconix SIHB5N80AE-GE3

Name: SIHB5N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB5N80AE-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: SIHB5N80AE-GE3

Fabricante: Vishay Siliconix

Categoria:: Transistores - FETs, MOSFETs - Único

Pacote: D²PAK (TO-263)

Ficha técnica: SIHB5N80AE-GE3.pdf

Descrição: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de SIHB5N80AE-GE3 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado SIHB5N80AE-GE3?

SIHB5N80AE-GE3 é um produto da Vishay Siliconix na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar SIHB5N80AE-GE3, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

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Visão geral do produto

SIHB5N80AE-GE3 é um produto da Vishay Siliconix na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: SIHB5N80AE-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Encapsulamento: D²PAK (TO-263)
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

SIHB5N80AE-GE3 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para SIHB5N80AE-GE3, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

Packaging:
Tube
Series:
E
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
4.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
16.5 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
321 pF @ 100 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
62.5W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Ficha técnica
SIHB5N80AE-GE3.pdf

SIHB5N80AE-GE3 - Perguntas frequentes

SIHB5N80AE-GE3 está atualmente em stock?▼

SIHB5N80AE-GE3 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 890. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para SIHB5N80AE-GE3?▼

A quantidade mínima de encomenda para SIHB5N80AE-GE3 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

SIHB5N80AE-GE3 é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. SIHB5N80AE-GE3 da Vishay Siliconix será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para SIHB5N80AE-GE3?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para SIHB5N80AE-GE3?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para SIHB5N80AE-GE3. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	SIHP17N80AE-GE3	SIHP240N60E-GE3	SIHA6N65E-GE3	SIHA14N60E-GE3	SIHP5N80AE-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	E	E	E	E	E
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	800 V	800 V	800 V	800 V	800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4.4A (Tc)	4.4A (Tc)	4.4A (Tc)	4.4A (Tc)	4.4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	1.35Ohm @ 1.5A, 10V	1.35Ohm @ 1.5A, 10V	1.35Ohm @ 1.5A, 10V	1.35Ohm @ 1.5A, 10V	1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
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Vgs(Max)	±30V	±30V	±30V	±30V	±30V
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MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount