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Vishay Siliconix SQJA12EP-T1_GE3

Name: SQJA12EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJA12EP-T1_GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: SQJA12EP-T1_GE3

Fabricante: Vishay Siliconix

Categoria:: Transistores - FETs, MOSFETs - Único

Pacote: -

Ficha técnica: SQJA12EP-T1_GE3.pdf

Descrição: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de SQJA12EP-T1_GE3 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado SQJA12EP-T1_GE3?

SQJA12EP-T1_GE3 é um produto da Vishay Siliconix na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar SQJA12EP-T1_GE3, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para SQJA12EP-T1_GE3

Visão geral do produto

SQJA12EP-T1_GE3 é um produto da Vishay Siliconix na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: SQJA12EP-T1_GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Encapsulamento: -
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

SQJA12EP-T1_GE3 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para SQJA12EP-T1_GE3, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

Produtos relacionados

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
49.1 nC @ 10 V
Vgs(Max):
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
3635 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
-
OperatingTemperature:
-55°C ~ 125°C
MountingType:
-
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Ficha técnica
SQJA12EP-T1_GE3.pdf

SQJA12EP-T1_GE3 - Perguntas frequentes

SQJA12EP-T1_GE3 está atualmente em stock?▼

SQJA12EP-T1_GE3 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2257. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para SQJA12EP-T1_GE3?▼

A quantidade mínima de encomenda para SQJA12EP-T1_GE3 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

SQJA12EP-T1_GE3 é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. SQJA12EP-T1_GE3 da Vishay Siliconix será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para SQJA12EP-T1_GE3?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para SQJA12EP-T1_GE3?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para SQJA12EP-T1_GE3. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	SIHP18N50C-E3	IRFIBE20GPBF	SIHF9Z24STRR-GE3	IRF830BPBF-BE3	SIHP6N40D-BE3
Fabricante	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
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ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	-	-	-	-	-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	8.6mOhm @ 10A, 10V	8.6mOhm @ 10A, 10V	8.6mOhm @ 10A, 10V	8.6mOhm @ 10A, 10V	8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	49.1 nC @ 10 V	49.1 nC @ 10 V	49.1 nC @ 10 V	49.1 nC @ 10 V	49.1 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	-	-	-	-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	3635 pF @ 25 V	3635 pF @ 25 V	3635 pF @ 25 V	3635 pF @ 25 V	3635 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	-	-	-	-	-
OperatingTemperature	-55°C ~ 125°C	-55°C ~ 125°C	-55°C ~ 125°C	-55°C ~ 125°C	-55°C ~ 125°C
MountingType	-	-	-	-	-