UGF10CCTHE3_A/P.pdf
A informação de produto de UGF10CCTHE3_A/P foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.
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UGF10CCTHE3_A/P é um produto da Vishay General Semiconductor - Diodes Division na categoria Diodos - Retificadores - Matrizes. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar UGF10CCTHE3_A/P, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para UGF10CCTHE3_A/PUGF10CCTHE3_A/P é um produto da Vishay General Semiconductor - Diodes Division na categoria Diodos - Retificadores - Matrizes. A descrição é: 10A,150V,20NS,DUAL UF RECT. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
UGF10CCTHE3_A/P pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para UGF10CCTHE3_A/P, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
UGF10CCTHE3_A/P é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2532. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para UGF10CCTHE3_A/P é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. UGF10CCTHE3_A/P da Vishay General Semiconductor - Diodes Division será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para UGF10CCTHE3_A/P. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem | ![]() |
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| Número da peça | FEPB6ATHE3/81 | FEPB6BTHE3/81 | FEPB6CTHE3/81 | FEPB6DTHE3/81 | MBRB10H100CTHE3/81 |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Last Time Buy | Last Time Buy | Last Time Buy | Last Time Buy | Last Time Buy |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 5A | 5A | 5A | 5A | 5A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.1 V @ 5 A | 1.1 V @ 5 A | 1.1 V @ 5 A | 1.1 V @ 5 A | 1.1 V @ 5 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V |
| OperatingTemperature-Junction | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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NEXPERIA BAV99 - DUAL HIGH-SPEED
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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