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Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Número da peça do fabricante	Disponibilidade	Preço	Quantidade	Ficha técnica	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
A5G35H055NT4 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR NXP USA Inc.	2,857	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	*	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF1304NR1 FET RF 133V 512MHZ TO270-2 NXP USA Inc.	2,336	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS	512MHz	25.4dB	50 V	-	-	10 mA	25W	133 V
A2T27S020GNR1 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	3,110	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	400MHz ~ 2.7GHz	21dB	28 V	10µA	-	185 mA	20W	65 V
MMRF1004GNR1 FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 NXP USA Inc.	2,543	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	2.17GHz	15.5dB	28 V	-	-	130 mA	10W	68 V
A2I20H060NR1 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc.	3,384	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.84GHz	28.9dB	28 V	-	-	24 mA	12W	65 V
A3I25D080NR1 AIRFAST RF LDMOS INTEGRATED POWE NXP USA Inc.	3,675	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	2.3GHz ~ 2.69GHz	29.2dB	28 V	10µA	-	175 mA	8.3W	65 V
A3I25D080GNR1 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	2,194	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	2.3GHz ~ 2.69GHz	29.2dB	28 V	10µA	-	175 mA	8.3W	65 V
A2I20H060GNR1 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc.	2,637	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	1.84GHz	28.9dB	28 V	-	-	24 mA	12W	65 V
MMRF1320GNR1 TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V NXP USA Inc.	3,723	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	26.1dB	50 V	-	-	100 mA	150W	133 V
MMRF1304GNR1 FET RF 133V 512MHZ TO270-2 NXP USA Inc.	3,294	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	512MHz	25.4dB	50 V	-	-	10 mA	25W	133 V
A5G35H110NT4 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	3,300	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	-	3.3GHz ~ 3.7GHz	15.3dB	48 V	-	-	70 mA	15.1W	125 V
MRFE6S9060GNR1 FET RF N-CH 1000MHZ TO270-2GN NXP USA Inc.	3,193	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	880MHz	21.1dB	28 V	-	-	450 mA	14W	66 V
A5G26H110NT4 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	2,977	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	-	2.496GHz ~ 2.69GHz	17.7dB	48 V	-	-	50 mA	15W	125 V
A5G35H120NT2 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR NXP USA Inc.	2,549	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	-	3.3GHz ~ 3.7GHz	14.1dB	48 V	-	-	70 mA	18W	125 V
A3I20X050GNR1 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR NXP USA Inc.	2,199	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	A3I20X050GN	Active	LDMOS (Dual)	1.8GHz ~ 2.2GHz	29.3dB	28 V	10µA	-	145 mA	6.3W	65 V
A3I20X050NR1 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR NXP USA Inc.	3,902	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	A3I20X050N	Active	LDMOS (Dual)	1.8GHz ~ 2.2GHz	29.3dB	28 V	10µA	-	145 mA	6.3W	65 V
AFIC31025NR1 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc.	2,916	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	2.7GHz ~ 3.1GHz	30dB	-	-	-	-	25W	32 V
A2T09VD250NR1 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc.	3,626	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	920MHz	22.5dB	48 V	-	-	1 A	65W	105 V
MMRF1320NR1 TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V NXP USA Inc.	3,503	-	RFQ	Ficha técnica	Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS (Dual)	230MHz	26.1dB	50 V	-	-	100 mA	150W	133 V
A2T18S166W12SR3 FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2 NXP USA Inc.	3,198	-	RFQ		Tape & Reel (TR)	-	Active	LDMOS	1.805GHz ~ 1.995GHz	-	-	-	-	-	38W	28 V