Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Foto: Número da peça do fabricante Disponibilidade Preço Quantidade Ficha técnica Packaging Series ProductStatus TransistorType Frequency Gain Voltage-Test CurrentRating(Amps) NoiseFigure Current-Test Power-Output Voltage-Rated
A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.
2,010 -

RFQ

A2V09H400-04NR3

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Active LDMOS 720MHz ~ 960MHz 17.9dB 48 V 10µA - 688 mA 107W 105 V
A3G35H100-04SR3

A3G35H100-04SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.
2,203 -

RFQ

A3G35H100-04SR3

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - -
A3T18H455W23SR6

A3T18H455W23SR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.
2,309 -

RFQ

A3T18H455W23SR6

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS (Dual) 1.805GHz ~ 1.88GHz 16.7dB 30 V 10µA - 600 mA 192W 65 V
A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6

AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

NXP USA Inc.
2,595 -

RFQ

A2V07H525-04NR6

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 48 V 10µA - 700 mA 120W 105 V
A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.
2,046 -

RFQ

A2V09H300-04NR3

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS 720MHz ~ 960MHz 19.7dB 48 V 10µA - 400 mA 53dBm 105 V
A3G26H200W17SR3

A3G26H200W17SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.
2,492 -

RFQ

A3G26H200W17SR3

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active - 2.496GHz ~ 2.69GHz 14.2dB 48 V - - 120 mA 34W 125 V
MRFE6VP6300GSR5

MRFE6VP6300GSR5

FET RF 50V 600MHZ NI780-4

NXP USA Inc.
3,918 -

RFQ

MRFE6VP6300GSR5

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS 600MHz 25dB - - - - 300W 50 V
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.
2,341 -

RFQ

A2G26H281-04SR3

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS 2.496GHz ~ 2.69GHz 14.2dB 48 V - - 150 mA 50W 125 V
A2T14H450-23NR6

A2T14H450-23NR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.
3,016 -

RFQ

A2T14H450-23NR6

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS 1.452GHz ~ 1.511GHz 18.8dB 31 V 10µA - 1 A - 65 V
A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6

AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

NXP USA Inc.
3,605 -

RFQ

A2V09H525-04NR6

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 48 V 10µA - 688 mA 120W 105 V
A3V07H600-42NR6

A3V07H600-42NR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.
2,979 -

RFQ

A3V07H600-42NR6

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS (Triple) 616MHz ~ 870MHz 16.9dB 48 V 10µA - 900 mA 112W 105 V
MRFE6VP100HSR5

MRFE6VP100HSR5

FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780

NXP USA Inc.
2,078 -

RFQ

MRFE6VP100HSR5

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS 512MHz 26dB 50 V - - 100 mA 100W 133 V
A3G18D510-04SR3

A3G18D510-04SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.
2,806 -

RFQ

A3G18D510-04SR3

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active - 1.805GHz ~ 2.2GHz 16dB 48 V - - 250 mA 56W 125 V
A3G22H400-04SR3

A3G22H400-04SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.
2,430 -

RFQ

A3G22H400-04SR3

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) * Active - - - - - - - - -
MRFE6VP6300HSR5

MRFE6VP6300HSR5

FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4

NXP USA Inc.
2,064 -

RFQ

MRFE6VP6300HSR5

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Active LDMOS (Dual) 230MHz 26.5dB 50 V - - 100 mA 300W 130 V
MRF8S18210WGHSR3

MRF8S18210WGHSR3

FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS

NXP USA Inc.
3,450 -

RFQ

MRF8S18210WGHSR3

Ficha técnica

Tape & Reel (TR) - Not For New Designs N-Channel 1.93GHz 17.8dB 30 V - - 1.3 A 50W 65 V
MRF1511NT1

MRF1511NT1

FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.
2,280 -

RFQ

MRF1511NT1

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Obsolete LDMOS 175MHz 13dB 7.5 V 4A - 150 mA 8W 40 V
MRF1513NT1

MRF1513NT1

FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.
2,703 -

RFQ

MRF1513NT1

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Obsolete LDMOS 520MHz 15dB 12.5 V 2A - 50 mA 3W 40 V
MRF1517NT1

MRF1517NT1

FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.
2,675 -

RFQ

MRF1517NT1

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Obsolete LDMOS 520MHz 14dB 7.5 V 4A - 150 mA 8W 25 V
MRF1518NT1

MRF1518NT1

FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.
3,266 -

RFQ

MRF1518NT1

Ficha técnica

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Obsolete LDMOS 520MHz 13dB 12.5 V 4A - 150 mA 8W 40 V
Total 400 Record«Prev1... 89101112131415...20Next»
1500+
1500+ Média diária de RFQ
20,000.000
20,000.000 Unidade padrão do produto
1800+
1800+ Fabricantes em todo o mundo
15,000+
15,000+ Armazém em estoque
Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Início

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Produto

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Telefone

Fudong Communication (Shenzhen) Grupo Co., Ltd.

Usuário