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Rohm Semiconductor BSM300D12P2E001

Name: BSM300D12P2E001
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM300D12P2E001
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: BSM300D12P2E001

Fabricante: Rohm Semiconductor

Categoria:: Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes

Pacote: Module

Ficha técnica: BSM300D12P2E001.pdf

Descrição: MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de BSM300D12P2E001 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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🔍Para que aplicações é adequado BSM300D12P2E001?

BSM300D12P2E001 é um produto da Rohm Semiconductor na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar BSM300D12P2E001, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para BSM300D12P2E001

Visão geral do produto

BSM300D12P2E001 é um produto da Rohm Semiconductor na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. A descrição é: MOSFET 2N-CH 1200V 300A. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: BSM300D12P2E001
Fabricante: Rohm Semiconductor
Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Encapsulamento: Module
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

BSM300D12P2E001 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para BSM300D12P2E001, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

Produtos relacionados

Product details

Packaging:
Tray
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature:
Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
300A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs:
-
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 68mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
35000pF @ 10V
Power-Max:
1875W
OperatingTemperature:
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Chassis Mount
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Ficha técnica
BSM300D12P2E001.pdf

BSM300D12P2E001 - Perguntas frequentes

BSM300D12P2E001 está atualmente em stock?▼

BSM300D12P2E001 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2831. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para BSM300D12P2E001?▼

A quantidade mínima de encomenda para BSM300D12P2E001 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

BSM300D12P2E001 é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. BSM300D12P2E001 da Rohm Semiconductor será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para BSM300D12P2E001?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para BSM300D12P2E001?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para BSM300D12P2E001. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	BSM300D12P2E001	UM6K33NTN	UM6K34NTCN	QS8M51TR	SH8K32TB1
Fabricante	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
Packaging	Tray	Tray	Tray	Tray	Tray
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	2 N-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)	Silicon Carbide (SiC)	Silicon Carbide (SiC)	Silicon Carbide (SiC)	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)	1200V (1.2kV)	1200V (1.2kV)	1200V (1.2kV)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	300A (Tc)	300A (Tc)	300A (Tc)	300A (Tc)	300A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	-	-	-	-	-
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 68mA	4V @ 68mA	4V @ 68mA	4V @ 68mA	4V @ 68mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	-	-	-	-	-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	35000pF @ 10V	35000pF @ 10V	35000pF @ 10V	35000pF @ 10V	35000pF @ 10V
Power-Max	1875W	1875W	1875W	1875W	1875W
OperatingTemperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount

As seguintes partes estão incluídas "BSM300D12P2E001" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. BSM300D12P2E001.

Número da peça
Fabricante
Pacote
Descrição

2N7002DW-TP Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated
SOT-23-6

MOSFET N/P-CH 20V SOT26
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies
8-PowerTDFN

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
IRF7324TRPBF Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC