onsemi FDP8D5N10C

Número da peça
FDP8D5N10C
Fabricante
onsemi
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
TO-220-3
Ficha técnica
FudongICFDP8D5N10C.pdf
Descrição
MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de FDP8D5N10C foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

Quantidade

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado FDP8D5N10C?

FDP8D5N10C é um produto da onsemi na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar FDP8D5N10C, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para FDP8D5N10C

Visão geral do produto

FDP8D5N10C é um produto da onsemi na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: FDP8D5N10C
  • Fabricante: onsemi
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: TO-220-3
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

FDP8D5N10C pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para FDP8D5N10C, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

FDP8D5N10C - Perguntas frequentes

FDP8D5N10C está atualmente em stock?

FDP8D5N10C é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 146. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para FDP8D5N10C?

A quantidade mínima de encomenda para FDP8D5N10C é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

FDP8D5N10C é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. FDP8D5N10C da onsemi será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para FDP8D5N10C?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para FDP8D5N10C?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para FDP8D5N10C. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem FDP8D5N10C FDP032N08B-F102 FDN335N FDC8884 FDS8878
Número da peça FDP8D5N10C FDP032N08B-F102 FDN335N FDC8884 FDS8878
Fabricante onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 76A (Tc) 76A (Tc) 76A (Tc) 76A (Tc) 76A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 8.5mOhm @ 76A, 10V 8.5mOhm @ 76A, 10V 8.5mOhm @ 76A, 10V 8.5mOhm @ 76A, 10V 8.5mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 130µA 4V @ 130µA 4V @ 130µA 4V @ 130µA 4V @ 130µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2475 pF @ 50 V 2475 pF @ 50 V 2475 pF @ 50 V 2475 pF @ 50 V 2475 pF @ 50 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 2.4W (Ta), 107W (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FDP8D5N10C Informações relevantes

As seguintes partes estão incluídas "FDP8D5N10C" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. FDP8D5N10C.

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