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Goford Semiconductor G30N02T

Name: G30N02T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: G30N02T
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: G30N02T

Fabricante: Goford Semiconductor

Categoria:: Transistores - FETs, MOSFETs - Único

Pacote: TO-220

Ficha técnica: G30N02T.pdf

Descrição: N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de G30N02T foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado G30N02T?

G30N02T é um produto da Goford Semiconductor na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar G30N02T, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para G30N02T

Visão geral do produto

G30N02T é um produto da Goford Semiconductor na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: G30N02T
Fabricante: Goford Semiconductor
Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Encapsulamento: TO-220
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

G30N02T pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para G30N02T, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

Packaging:
Tube
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
30A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs:
13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id:
1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
15 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
900 pF @ 10 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
40W (Ta)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Ficha técnica
G30N02T.pdf

G30N02T - Perguntas frequentes

G30N02T está atualmente em stock?▼

G30N02T é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2159. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para G30N02T?▼

A quantidade mínima de encomenda para G30N02T é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

G30N02T é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. G30N02T da Goford Semiconductor será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para G30N02T?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para G30N02T?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para G30N02T. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	03N06	5P40	G30N02T	GT100N12M	GC11N65M
Fabricante	Goford Semiconductor	Goford Semiconductor	Goford Semiconductor	Goford Semiconductor	Goford Semiconductor
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	30A (Ta)	30A (Ta)	30A (Ta)	30A (Ta)	30A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	4.5V	4.5V	4.5V	4.5V	4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs	13mOhm @ 20A, 4.5V	13mOhm @ 20A, 4.5V	13mOhm @ 20A, 4.5V	13mOhm @ 20A, 4.5V	13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id	1.2V @ 250µA	1.2V @ 250µA	1.2V @ 250µA	1.2V @ 250µA	1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	15 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±12V	±12V	±12V	±12V	±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	900 pF @ 10 V	900 pF @ 10 V	900 pF @ 10 V	900 pF @ 10 V	900 pF @ 10 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	40W (Ta)	40W (Ta)	40W (Ta)	40W (Ta)	40W (Ta)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole