IXYS IXFA4N100Q

Número da peça
IXFA4N100Q
Fabricante
IXYS
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
TO-263AA (IXFA)
Ficha técnica
FudongICIXFA4N100Q.pdf
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de IXFA4N100Q foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado IXFA4N100Q?

IXFA4N100Q é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar IXFA4N100Q, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para IXFA4N100Q

Visão geral do produto

IXFA4N100Q é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: IXFA4N100Q
  • Fabricante: IXYS
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: TO-263AA (IXFA)
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

IXFA4N100Q pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para IXFA4N100Q, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

IXFA4N100Q - Perguntas frequentes

IXFA4N100Q está atualmente em stock?

IXFA4N100Q é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2051. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para IXFA4N100Q?

A quantidade mínima de encomenda para IXFA4N100Q é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

IXFA4N100Q é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. IXFA4N100Q da IXYS será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para IXFA4N100Q?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para IXFA4N100Q?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para IXFA4N100Q. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem IXFH15N80Q IXFH52N30Q IXFK90N20Q IXFX90N20Q IXFA4N100Q
Número da peça IXFH15N80Q IXFH52N30Q IXFK90N20Q IXFX90N20Q IXFA4N100Q
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q Class
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3Ohm @ 2A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 1.5mA 4.5V @ 1.5mA 4.5V @ 1.5mA 4.5V @ 1.5mA 4.5V @ 1.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1050 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IXFA4N100Q Informações relevantes

As seguintes partes estão incluídas "IXFA4N100Q" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. IXFA4N100Q.

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