IXYS IXTU02N50D

Número da peça
IXTU02N50D
Fabricante
IXYS
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Pacote
TO-251AA
Ficha técnica
FudongICIXTU02N50D.pdf
Descrição
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
Revisão de qualidade:
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de IXTU02N50D foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado IXTU02N50D?

IXTU02N50D é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar IXTU02N50D, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para IXTU02N50D

Visão geral do produto

IXTU02N50D é um produto da IXYS na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Único. A descrição é: MOSFET N-CH 500V 200MA TO251. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

  • Part number: IXTU02N50D
  • Fabricante: IXYS
  • Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Único
  • Encapsulamento: TO-251AA
  • Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
  • Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

IXTU02N50D pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para IXTU02N50D, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

IXTU02N50D - Perguntas frequentes

IXTU02N50D está atualmente em stock?

IXTU02N50D é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2077. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para IXTU02N50D?

A quantidade mínima de encomenda para IXTU02N50D é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

IXTU02N50D é original e genuíno?

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. IXTU02N50D da IXYS será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para IXTU02N50D?

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para IXTU02N50D?

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para IXTU02N50D. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem IXTU02N50D IXTY1R6N50D2-TRL IXTY08N50D2 IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N100D2
Número da peça IXTU02N50D IXTY1R6N50D2-TRL IXTY08N50D2 IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N100D2
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series Depletion Depletion Depletion Depletion Depletion
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 200mA (Tc) 200mA (Tc) 200mA (Tc) 200mA (Tc) 200mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 30Ohm @ 50mA, 0V 30Ohm @ 50mA, 0V 30Ohm @ 50mA, 0V 30Ohm @ 50mA, 0V 30Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 25µA 5V @ 25µA 5V @ 25µA 5V @ 25µA 5V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - - - - -
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 120 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V
FETFeature Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode
PowerDissipation(Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTU02N50D Informações relevantes

As seguintes partes estão incluídas "IXTU02N50D" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. IXTU02N50D.

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