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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU,LF

Name: MT3S111TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: MT3S111TU,LF
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: MT3S111TU,LF

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Categoria:: Transistores - Bipolar (BJT) - RF

Pacote: 3-SMD, Flat Lead

Ficha técnica: MT3S111TU,LF.pdf

Descrição: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de MT3S111TU,LF foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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🔍Para que aplicações é adequado MT3S111TU,LF?

MT3S111TU,LF é um produto da Toshiba Semiconductor and Storage na categoria Transistores - Bipolar (BJT) - RF. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar MT3S111TU,LF, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para MT3S111TU,LF

Visão geral do produto

MT3S111TU,LF é um produto da Toshiba Semiconductor and Storage na categoria Transistores - Bipolar (BJT) - RF. A descrição é: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: MT3S111TU,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria: Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Encapsulamento: 3-SMD, Flat Lead
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

MT3S111TU,LF pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para MT3S111TU,LF, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

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Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Active
TransistorType:
NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):
6V
Frequency-Transition:
10GHz
NoiseFigure(dBTyp@f):
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gain:
12.5dB
Power-Max:
800mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce:
200 @ 30mA, 5V
Current-Collector(Ic)(Max):
100mA
OperatingTemperature:
150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoria:
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica
MT3S111TU,LF.pdf

MT3S111TU,LF - Perguntas frequentes

MT3S111TU,LF está atualmente em stock?▼

MT3S111TU,LF é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2904. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para MT3S111TU,LF?▼

A quantidade mínima de encomenda para MT3S111TU,LF é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

MT3S111TU,LF é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. MT3S111TU,LF da Toshiba Semiconductor and Storage será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para MT3S111TU,LF?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para MT3S111TU,LF?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para MT3S111TU,LF. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	2SC2714-Y(TE85L,F)	MT3S111TU,LF	MT3S111(TE85L,F)	2SC5087R(TE85L,F)	MT3S16U(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
TransistorType	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)	6V	6V	6V	6V	6V
Frequency-Transition	10GHz	10GHz	10GHz	10GHz	10GHz
NoiseFigure(dBTyp@f)	0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz	0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz	0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz	0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz	0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gain	12.5dB	12.5dB	12.5dB	12.5dB	12.5dB
Power-Max	800mW	800mW	800mW	800mW	800mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce	200 @ 30mA, 5V	200 @ 30mA, 5V	200 @ 30mA, 5V	200 @ 30mA, 5V	200 @ 30mA, 5V
Current-Collector(Ic)(Max)	100mA	100mA	100mA	100mA	100mA
OperatingTemperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)	150°C (TJ)	150°C (TJ)	150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount