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Goford Semiconductor G33N03D3
- Número da peça
- G33N03D3
- Fabricante
- Goford Semiconductor
- Categoria:
- Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
- Pacote
- 8-PowerVDFN
- Ficha técnica
-
G33N03D3.pdf
- Descrição
- N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
- Revisão de qualidade:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC
A informação de produto de G33N03D3 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.
- Quantidade
Preço unitário$0
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- Envio
Para que aplicações é adequado G33N03D3?
G33N03D3 é um produto da Goford Semiconductor na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Equipamentos de comunicação e rede
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Sistemas automóveis e de controlo
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Automação industrial
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Centros de dados e plataformas cloud
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar G33N03D3, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para G33N03D3Visão geral do produto
G33N03D3 é um produto da Goford Semiconductor na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. A descrição é: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
Principais características
- Part number: G33N03D3
- Fabricante: Goford Semiconductor
- Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
- Encapsulamento: 8-PowerVDFN
- Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
- Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume
Áreas de aplicação
G33N03D3 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Compra e suporte técnico
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para G33N03D3, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
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Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Standard
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:30A (Tc)
- RdsOn(Max)@IdVgs:13mOhm @ 18A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:15nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1530pF @ 15V
- Power-Max:18.5W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Ficha técnica
G33N03D3 - Perguntas frequentes
G33N03D3 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2625. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para G33N03D3 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. G33N03D3 da Goford Semiconductor será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para G33N03D3. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem |  |
 |
.jpg) |
|
|
| Número da peça | G33N03D3 | G4953S | G20N06D52 | GT090N06D52 | G4616 |
| Fabricante | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 13mOhm @ 18A, 10V | 13mOhm @ 18A, 10V | 13mOhm @ 18A, 10V | 13mOhm @ 18A, 10V | 13mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 15nC @ 10V | 15nC @ 10V | 15nC @ 10V | 15nC @ 10V | 15nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1530pF @ 15V | 1530pF @ 15V | 1530pF @ 15V | 1530pF @ 15V | 1530pF @ 15V |
| Power-Max | 18.5W (Tc) | 18.5W (Tc) | 18.5W (Tc) | 18.5W (Tc) | 18.5W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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G33N03D3 Informações relevantes
As seguintes partes estão incluídas "G33N03D3" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. G33N03D3.
- Número da peça
- Fabricante
- Pacote
- Descrição
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
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BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
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IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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2N7002DW-TP
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