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Powerex Inc. QJD1210011

Name: QJD1210011
Brand: Powerex Inc.
SKU: QJD1210011
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Número da peça: QJD1210011

Fabricante: Powerex Inc.

Categoria:: Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes

Pacote: Module

Ficha técnica: QJD1210011.pdf

Descrição: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Revisão de qualidade:: ★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC

A informação de produto de QJD1210011 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.

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Aplicações

🔍Para que aplicações é adequado QJD1210011?

QJD1210011 é um produto da Powerex Inc. na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.

Equipamentos de comunicação e rede

Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.

Sistemas automóveis e de controlo

Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.

Automação industrial

Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.

Centros de dados e plataformas cloud

Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.

FudongIC ajuda clientes a comprar QJD1210011, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.

Solicitar cotação e suporte técnico para QJD1210011

Visão geral do produto

QJD1210011 é um produto da Powerex Inc. na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. A descrição é: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.

Principais características

Part number: QJD1210011
Fabricante: Powerex Inc.
Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Encapsulamento: Module
Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume

Áreas de aplicação

QJD1210011 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.

Compra e suporte técnico

Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para QJD1210011, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.

Produtos relacionados

Product details

Packaging:
Bulk
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
2 N-Channel (Dual)
FETFeature:
Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
100A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs:
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id:
5V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
500nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
10200pF @ 800V
Power-Max:
900W
OperatingTemperature:
-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Chassis Mount
Categoria:
Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Ficha técnica
QJD1210011.pdf

QJD1210011 - Perguntas frequentes

QJD1210011 está atualmente em stock?▼

QJD1210011 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2899. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.

Qual é a quantidade mínima de encomenda para QJD1210011?▼

A quantidade mínima de encomenda para QJD1210011 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.

QJD1210011 é original e genuíno?▼

FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. QJD1210011 da Powerex Inc. será obtido através de canais fiáveis.

Qual é o prazo de entrega típico para QJD1210011?▼

O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.

Existem alternativas ou equivalentes para QJD1210011?▼

Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para QJD1210011. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.

Imagem
Número da peça	QJD1210010	QJD1210011	QJD1210SA1	QJD1210SA2
Fabricante	Powerex Inc.	Powerex Inc.	Powerex Inc.	Powerex Inc.
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
Series	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active
FETType	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)	Silicon Carbide (SiC)	Silicon Carbide (SiC)	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)	1200V (1.2kV)	1200V (1.2kV)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	100A (Tc)	100A (Tc)	100A (Tc)	100A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	25mOhm @ 100A, 20V	25mOhm @ 100A, 20V	25mOhm @ 100A, 20V	25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	5V @ 10mA	5V @ 10mA	5V @ 10mA	5V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	500nC @ 20V	500nC @ 20V	500nC @ 20V	500nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	10200pF @ 800V	10200pF @ 800V	10200pF @ 800V	10200pF @ 800V
Power-Max	900W	900W	900W	900W
OperatingTemperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount

As seguintes partes estão incluídas "QJD1210011" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. QJD1210011.

Número da peça
Fabricante
Pacote
Descrição

2N7002DW-TP Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated
SOT-23-6

MOSFET N/P-CH 20V SOT26
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies
8-PowerTDFN

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
IRF7324TRPBF Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC