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Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3
- Número da peça
- SIZ926DT-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Categoria:
- Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
- Pacote
- 8-PowerWDFN
- Ficha técnica
-
SIZ926DT-T1-GE3.pdf
- Descrição
- MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
- Revisão de qualidade:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC
A informação de produto de SIZ926DT-T1-GE3 foi revista com base no número da peça, fabricante, encapsulamento, stock, requisitos de compra e disponibilidade de envio.
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Para que aplicações é adequado SIZ926DT-T1-GE3?
SIZ926DT-T1-GE3 é um produto da Vishay Siliconix na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Equipamentos de comunicação e rede
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Sistemas automóveis e de controlo
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Automação industrial
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Centros de dados e plataformas cloud
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar SIZ926DT-T1-GE3, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para SIZ926DT-T1-GE3Visão geral do produto
SIZ926DT-T1-GE3 é um produto da Vishay Siliconix na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. A descrição é: MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
Principais características
- Part number: SIZ926DT-T1-GE3
- Fabricante: Vishay Siliconix
- Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
- Encapsulamento: 8-PowerWDFN
- Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
- Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume
Áreas de aplicação
SIZ926DT-T1-GE3 pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Compra e suporte técnico
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para SIZ926DT-T1-GE3, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
Produtos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchFET® Gen IV
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Standard
- DraintoSourceVoltage(Vdss):25V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:40A (Tc), 60A (Tc)
- RdsOn(Max)@IdVgs:4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.2V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:19nC @ 10V, 41nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
- Power-Max:20.2W, 40W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Ficha técnica
SIZ926DT-T1-GE3 - Perguntas frequentes
SIZ926DT-T1-GE3 é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2288. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para SIZ926DT-T1-GE3 é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. SIZ926DT-T1-GE3 da Vishay Siliconix será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para SIZ926DT-T1-GE3. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem |  |
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| Número da peça | SIZ260DT-T1-GE3 | SIZ342ADT-T1-GE3 | SIZ322DT-T1-GE3 | SIZF906DT-T1-GE3 | SIZ998BDT-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 25V | 25V | 25V | 25V | 25V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 40A (Tc), 60A (Tc) | 40A (Tc), 60A (Tc) | 40A (Tc), 60A (Tc) | 40A (Tc), 60A (Tc) | 40A (Tc), 60A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V | 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V | 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V | 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V | 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V |
| Power-Max | 20.2W, 40W | 20.2W, 40W | 20.2W, 40W | 20.2W, 40W | 20.2W, 40W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
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- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
SIZ926DT-T1-GE3 Informações relevantes
As seguintes partes estão incluídas "SIZ926DT-T1-GE3" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. SIZ926DT-T1-GE3.
- Número da peça
- Fabricante
- Pacote
- Descrição
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
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EPC2106
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BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
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2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
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SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
- 1500+ Média diária de RFQ
- 20,000.000 Unidade padrão do produto
- 1800+ Fabricantes em todo o mundo
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