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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R,LXHF
- Número da peça
- SSM6N813R,LXHF
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria:
- Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
- Pacote
- 6-SMD, Flat Leads
- Ficha técnica
-
SSM6N813R,LXHF.pdf
- Descrição
- AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW
- Revisão de qualidade:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisto pela equipa QC da FudongIC
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Para que aplicações é adequado SSM6N813R,LXHF?
SSM6N813R,LXHF é um produto da Toshiba Semiconductor and Storage na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. É adequado para projetos eletrónicos que exigem verificação de parâmetros, fornecimento estável, comparação BOM e suporte de compra.
Equipamentos de comunicação e rede
Adequado para módulos de comunicação, estações base, equipamentos de rede e transmissão de dados industrial.
Sistemas automóveis e de controlo
Aplicável a eletrónica automóvel, módulos de controlo, sensores e projetos incorporados com requisitos de parâmetros e fornecimento.
Automação industrial
Útil para equipamentos industriais, controlo de motores, instrumentos de medição, sistemas de automação e placas eletrónicas.
Centros de dados e plataformas cloud
Compatível com servidores, centros de dados, fontes de alimentação, placas de controlo e sistemas eletrónicos fiáveis.
FudongIC ajuda clientes a comprar SSM6N813R,LXHF, incluindo confirmação de stock, preço, comparação BOM e seleção técnica.
Solicitar cotação e suporte técnico para SSM6N813R,LXHFVisão geral do produto
SSM6N813R,LXHF é um produto da Toshiba Semiconductor and Storage na categoria Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes. A descrição é: AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW. FudongIC ajuda clientes com verificação de datasheet, confirmação de stock, cotação, comparação BOM e seleção técnica.
Principais características
- Part number: SSM6N813R,LXHF
- Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria: Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
- Encapsulamento: 6-SMD, Flat Leads
- Suporte para datasheet, confirmação de stock e cotação
- Adequado para amostras, pequenas quantidades e compras em volume
Áreas de aplicação
SSM6N813R,LXHF pode ser usado em comunicações, automação industrial, eletrónica automóvel, centros de dados, sistemas incorporados, energia, controlo e outros projetos eletrónicos.
Compra e suporte técnico
Se precisar de stock, preços por volume, prazo, alternativas ou documentação técnica para SSM6N813R,LXHF, envie uma consulta para FudongIC. A nossa equipa ajudará de acordo com a sua aplicação, parâmetros, encapsulamento e quantidade.
Produtos relacionados
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:Automotive, AEC-Q101
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Logic Level Gate, 4.5V Drive
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:3.5A (Ta)
- RdsOn(Max)@IdVgs:112mOhm @ 3.5A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 100µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:3.6nC @ 4.5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:242pF @ 15V
- Power-Max:1.5W (Ta)
- OperatingTemperature:175°C
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Ficha técnica
SSM6N813R,LXHF - Perguntas frequentes
SSM6N813R,LXHF é apresentado em FudongIC com informação atual de stock. O inventário apresentado é 2993. Como o stock muda frequentemente, envie um pedido RFQ para confirmar stock, preço e entrega em tempo real.
A quantidade mínima de encomenda para SSM6N813R,LXHF é 1 peça(s). FudongIC apoia amostras, pequenas quantidades e compras em volume.
FudongIC concentra-se no fornecimento de componentes eletrónicos originais e genuínos. SSM6N813R,LXHF da Toshiba Semiconductor and Storage será obtido através de canais fiáveis.
O prazo de entrega depende da localização do stock, quantidade encomendada e destino. Para stock disponível, podemos organizar envio por DHL, FedEx, UPS ou outros serviços expresso.
Dependendo dos requisitos da aplicação, FudongIC pode ajudar a verificar alternativas ou equivalentes para SSM6N813R,LXHF. Envie especificações, quantidade alvo e detalhes da aplicação.
| Imagem |  |
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| Número da peça | SSM6N62TU,LXHF | SSM6L820R,LXHF | SSM6N813R,LXHF | TPCP8407,LF | SSM6L820R,LF |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100V | 100V | 100V | 100V | 100V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.5A (Ta) | 3.5A (Ta) | 3.5A (Ta) | 3.5A (Ta) | 3.5A (Ta) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 112mOhm @ 3.5A, 10V | 112mOhm @ 3.5A, 10V | 112mOhm @ 3.5A, 10V | 112mOhm @ 3.5A, 10V | 112mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 100µA | 2.5V @ 100µA | 2.5V @ 100µA | 2.5V @ 100µA | 2.5V @ 100µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 3.6nC @ 4.5V | 3.6nC @ 4.5V | 3.6nC @ 4.5V | 3.6nC @ 4.5V | 3.6nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 242pF @ 15V | 242pF @ 15V | 242pF @ 15V | 242pF @ 15V | 242pF @ 15V |
| Power-Max | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) |
| OperatingTemperature | 175°C | 175°C | 175°C | 175°C | 175°C |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
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- Thyristoren – Thyristoren(4646)
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- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
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- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
SSM6N813R,LXHF Informações relevantes
As seguintes partes estão incluídas "SSM6N813R,LXHF" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. SSM6N813R,LXHF.
- Número da peça
- Fabricante
- Pacote
- Descrição
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
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-
EPC2106
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EPC2104
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BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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